X

ООО «Термо-Решения»

Поставки промышленного оборудования импортного и российского производства

+7 (499) 653 80 83

e-mail: info@thermo-r.ru

Новости

Поделиться

С друзьями в соц.сетях

Стенд для проверки полупроводниковых приборов UNIMET 1037




Тестирование дискретных полупроводников никогда не было проще!

UNIMET 1037 - лабораторная настольная тестовая система для контроля дискретных полупроводников, таких как биполярные транзисторы, БТИЗы, МОП-транзисторы, диоды, стабилитроны, триаки и тиристоры. Расширенные динамические измерения доступны с расширением TA37.TIM. Съемный модуль TA37 может также использоваться с M3000, UNIMET 3000 и UNIMET 2020. UNIMET 1037 позволяет быстро и просто разрабатывать приложения для тестирования методом Drag&Drop.

Особенности

  • Встроенная ПЛИС с преобразователями AD / DA для продвинутого тестового контроля и работа DSP (тест на тепловое сопротивление, тест на динамическое сопротивление, tRR *, tON *, tOFF * и tDELAY *)
  • Мобильное, лёгкое, настольное решение
  • Совместим с уже написанными тестами TA07D, T, F и Y
  • Тестирование в диапазоне 20 В / 100 А, 600 В / 500 мА, 52 В / 1 А
  • Совместимость расширения HV07B для тестирования до 2 кВ / 19,5 мА

КОНТРОЛИРУЕМЫЕ ПАРАМЕТРЫ

Диоды и стабилитроны (диод Зенера)

  • Прямое напряжение VF
  • Обратное напряжение VR
  • Напряжение Зенера VZ
  • Обратный ток утечки IR
  • Динамическое сопротивление DC Rdyn
  • Динамическое сопротивление AC Rz
  • МОП-Полевые транзисторы
  • Напряжение пробоя V(BR)DSS
  • Напряжение обращенного диода VSD
  • Пороговое напряжение включения VGS
  • Сопротивление во включённом состоянии RDS(on)
  • Активная проводимость в прямом направлении gfs
  • Прямой/ обратный ток утечки IGSS
  • Напряжение включения VDS(on)
  • Ток утечки в открытом состоянии ID(on)

Биполярные транзисторы

  • Напряжение пробоя VCE0(BR)
  • Напряжение пробоя VCE0(BR)
  • Напряжение насыщения VCE(sat)
  • Напряжение насыщения VBE(sat)
  • Обратный ток коллектора/ эмиттера ICEO,ICBO,IEBO
  • Напряжение пробоя VCB0
  • Напряжение пробоя VEB0
  • Прямое напряжение диода VF(diode)
  • Напряжение включения VBE(on)
  • Усиление постоянного тока hfe(DC)
  • Усиление переменного тока h21e(AC)

Симисторы и тиристоры

  • Отпирающий ток управляющего электрода тиристора IGT
  • Отпирающее напряжение на управляющем электроде VGT
  • Ток утечки в закрытом состоянии IDO
  • Ток срабатывания IL

Опция TA37.TIM для измерения динамических параметров