Развитие сотрудничества с новыми партнерами

: 11.12.25

В рамках развития поставок оборудования по направлению «Микроэлектроника» специалисты нашей компании в конце ноября текущего года посетили ряд своих партнеров в Китае, среди которых были, производитель оборудования для приклейки защитной пленки на выводные рамки для корпусов QFN, производитель высокотемпературных конвейерных печей вжигания, производитель автоматизированного оборудования для монтажа и разварки кристаллов.

Однако, ключевой и наиболее интересной встречей в рамках данной поездки стало посещение завода-производителя автоматического оборудования для лазерного разделения полупроводниковых пластин методом «Stealthdicing» - компании General Intelligent Equipment Co., LTD, г. Сучжоу.

Технология «Stealth dicing» формирует модифицированный слой в полупроводниковой пластине путем фокусировки лазерного излучения внутри заготовки, а после окончания лазерной обработки производится разделение пластины на кристаллы с помощью растягивания или разлома на отдельные кристаллы (Рис. 1).

Рисунок 1. Схематичное изображение процесса «Stealth dicing»

Пор сравнению с традиционными методами разделения пластин на кристаллы метод «Stealth dicing» обеспечивает целый ряд бесспорных преимуществ, а именно:

отсутствие загрязнения пластины (брызг, крошения, последствий физического воздействия на материал, характерных для того или иного традиционного способа разделения пластин),
«Stealth dicing» это сухой процесс резки, без применения охлаждающей жидкости,
минимальные сколы на стенках кристаллов после разделения,
минимальная ширина дорожки реза,
отсутствие зоны термического напряжения, как при традиционной лазерной абляции,
широкий спектр материалов и задач для применения технологии (Si, GaN, Сапфир, SiC, GaAs, InPи др.).

Рисунок 2. Результат резки по технологии резки «Stealthdicing» на примере кремниевой пластины (диаметр 150 мм, толщина 400 мкм, кристалл 1,65х1,65 мм, зазор между кристаллами после растяжки 45 мкм.).

Из рисунка видно, что дорожки резки имеют идеальные прямолинейные края, отсутствуют сколы и загрязнения.

Рисунок 3. Модельный ряд установок (слева направо: установка лазерного скрайбирования, установка лазерной резки, установка механической обработки, ламинатор, установка растяжки пленки)

В ходе визита наши специалисты и представителя компании General Intelligent Equipment Co., LTD обсудили ряд технических вопросов по текущим проектам и обменялись перспективами сотрудничества, в частности использование данных установок для разделения материалов, набирающих популярность в отрасли, таких как карбид кремния и нитрид галлия. Кроме этого, нашим специалистам была продемонстрирована производственная площадка производителя, чистые комнаты и лаборатория для отработки задача их клиентов, куда Заказчики могут приехать для выполнения приемки оборудования или же предварительных тестов на своих образцах.

По результатам данной совместной встречи компания ООО «Термо-Решения» и компания General Intelligent Equipment Co., LTD подписали эксклюзивное дистрибьюторское соглашение о поставках и сервисном обслуживании их оборудования на территории Российской Федерации и Республики Беларусь. Мы уверены, что данная технология и оборудование будут востребованы в России в ближайшем будущем, в виду все более набирающих обороты направлений силовой электроники, фотоники, а также разработки современных изделий на основе применения новых перспективных материалов, требующих новейших методов разделения на отдельные чипы/кристаллы.

Рисунок 4. В офисе компании General Intelligent Equipment Co., LTD

За более подробной информацией о данном типе оборудования Вы можете обратиться к нам по телефону +7(499)653-80-83 или отправить запрос по электронной почте Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра..